產(chǎn)品詳情
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臺灣省FZ1600R12KL4C,型號大量現(xiàn)貨
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2、U-IGBTMOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。臺灣省FZ1600R12KL4C,型號大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1600R12KL4C,型號大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1600R12KL4C,型號大量現(xiàn)貨FZ1600R12KL4CFZ1600R12KL4CFZ1600R12KL4CIGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：臺灣省FZ1600R12KL4C,型號大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1600R12KL4C,型號大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1600R12KL4C,型號大量現(xiàn)貨整流器IR公司的研發(fā)重點(diǎn)在于IGBT的拖尾效應(yīng)，使其能快速關(guān)斷，研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效應(yīng)，關(guān)斷時間不超過2000ns，采用特殊高能照射分層技術(shù)，關(guān)斷時間可在100ns以下，拖尾更短，重點(diǎn)產(chǎn)品專為電機(jī)控制而設(shè)計(jì)，現(xiàn)有6種型號，另可用在大功率電源變換器中。FZ1600R12KL4C
