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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:臺(tái)灣省FZ1200R17KF6C_B2,圖片大量現(xiàn)貨

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  • 產(chǎn)品廠商:JOONGWON
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簡單介紹:
臺(tái)灣省FZ1200R17KF6C_B2,圖片大量現(xiàn)貨
詳情介紹:
模塊簡介將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的集電極(C),紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E),此時(shí)萬用表的指針在零位。用同時(shí)觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用同時(shí)觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E),這時(shí)IGBT 被,萬用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOS 截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓,只有在u的漏電流流過,基本上不消耗功率。3、NPT-IGBT整流器IR公司的研發(fā)重點(diǎn)在于IGBT的拖尾效應(yīng),使其能快速關(guān)斷,研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效應(yīng),關(guān)斷時(shí)間不超過2000ns,采用特殊高能照射分層技術(shù),關(guān)斷時(shí)間可在100ns以下,拖尾更短,重點(diǎn)產(chǎn)品專為電機(jī)控制而設(shè)計(jì),現(xiàn)有6種型號(hào),另可用在大功率電源變換器中。臺(tái)灣省FZ1200R17KF6C_B2,圖片大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ1200R17KF6C_B2,圖片大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ1200R17KF6C_B2,圖片大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ1200R17KF6C_B2,圖片大量現(xiàn)貨FZ1200R17KF6C_B2FZ1200R17KF6C_B2FZ1200R17KF6C_B2FZ1200R17KF6C_B2臺(tái)灣省FZ1200R17KF6C_B2,圖片大量現(xiàn)貨
IGBT 在開通中,大部分時(shí)間是作為MOSFET 來運(yùn)行的,只是在漏源電壓Uds 下降后期, PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,又了一段時(shí)間。td(on) 為開通時(shí)間,tri 為電流上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時(shí)間ton 即為td (on) tri 之和,漏源電壓的下降時(shí)間由tfe1 和tfe2 組成。
IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負(fù)向電壓,柵極電壓可由不同的驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。當(dāng)選擇這些驅(qū)動(dòng)電路時(shí),必須基于以下的參數(shù)來進(jìn)行:器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因?yàn)镮GBT柵極- 發(fā)射極阻抗大,故可使用MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行觸發(fā),不過由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大,故IGBT的關(guān)斷偏壓應(yīng)該比許多MOSFET驅(qū)動(dòng)電路提供的偏壓更高。
IGBT在關(guān)斷中,漏極電流的波形變?yōu)閮啥巍R驗(yàn)镸OSFET關(guān)斷后,PNP晶體管的存儲(chǔ)電荷難以迅速,造成漏極電流較長的尾部時(shí)間,td(off)為關(guān)斷時(shí)間,trv為電壓Uds(f)的上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常常給出的漏極電流的下降時(shí)間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成,而漏極電流的關(guān)斷時(shí)間
t(off)=td(off)+trv十t(f)IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時(shí),集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似,也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時(shí)主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同,當(dāng)柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時(shí),IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi),IC與VGE呈線性關(guān)系。臺(tái)灣省FZ1200R17KF6C_B2,圖片大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ1200R17KF6C_B2,圖片大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ1200R17KF6C_B2,圖片大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省臺(tái)灣省FZ1200R17KF6C_B2
式中:td(off)與trv之和又稱為存儲(chǔ)時(shí)間。
IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET,但明顯高于GTR。IGBT在關(guān)斷時(shí)不需要負(fù)柵壓來關(guān)斷時(shí)間,但關(guān)斷時(shí)間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的而。IGBT的開啟電壓約3~4V,和MOSFET相當(dāng)。IGBT導(dǎo)通時(shí)的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近,飽和壓降隨柵極電壓的而。6、IGBT/FRDFZ1200R17KF6C_B2FZ1200R17KF6C_B2FZ1200R17KF6C_B2臺(tái)灣省FZ1200R17KF6C_B2,圖片大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ1200R17KF6C_B2,圖片大量現(xiàn)貨
正式商用的IGBT器件的電壓和電流容量還很有限,遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的需求;高壓領(lǐng)域的許多應(yīng)用中,要求器件的電壓等級(jí)達(dá)到10KV以上,目前只能通過IGBT高壓串聯(lián)等技術(shù)來實(shí)現(xiàn)高壓應(yīng)用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件,德國的EUPEC生產(chǎn)的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經(jīng)實(shí)際應(yīng)用,東芝也已涉足該領(lǐng)域。與此同時(shí),各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、低成本技術(shù),主要采用1um以下制作工藝,研制取得一些新進(jìn)展。2013年9月12日 我國自主研發(fā)的高壓大功率3300V/50A IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)芯片及由此芯片封裝的大功率1200A/3300V IGBT模塊通過專家鑒定,自此有了完全自主的IGBT“芯特點(diǎn):擊穿電壓可達(dá)1200V,集電極大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上,工作可達(dá)20kHz。IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為新型電力半導(dǎo)體場控自關(guān)斷器件,集功率MOSFET的高速性能與雙極件的低電阻于一體,具有輸進(jìn)阻抗高,電壓控制功耗低,控制電路簡單,耐高壓,承受電流大等特性,在各種電力變換中極廣泛的應(yīng)用。與此同時(shí),各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢技術(shù),主要采用1um以下制作工藝,研制取得一些新進(jìn)展。 [3] NPT(非穿通型)--IGBT采用薄硅片技術(shù),以離子注進(jìn)發(fā)射區(qū)代替高復(fù)雜、高本錢的厚層高阻外延,可生產(chǎn)本錢25%左右,耐壓越高本錢差越大,在性能上更具有特色,高速、低損耗、正溫度系數(shù),無鎖定效應(yīng),在設(shè)計(jì)600—1200V的IGBT時(shí),NPT—IGBT可靠性高。西門子公司可提供600V、1200V、1700V系列產(chǎn)品和6500V高壓IGBT,并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT,依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列,富士電機(jī)、摩托羅拉等在研制之中,NPT型正成為IGBT發(fā)展方向。臺(tái)灣省FZ1200R17KF6C_B2,圖片大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ1200R17KF6C_B2,圖片大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ1200R17KF6C_B2,圖片大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ1200R17KF6C_B2,圖片大量現(xiàn)貨FZ1200R17KF6C_B2圖片
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