青青草伊人在先线_成龙历险记之面具_东北大炕上的一家人_有多少爱可以重来人海中_重生玩遍官场贵妇

產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:臺灣省FZ1600R17KF6C_B2,型號大量現(xiàn)貨

  • 產(chǎn)品型號:
  • 產(chǎn)品廠商:JOONGWON
  • 產(chǎn)品價(jià)格:0
  • 折扣價(jià)格:0
  • 產(chǎn)品文檔:
你添加了1件商品 查看購物車
簡單介紹:
臺灣省FZ1600R17KF6C_B2,型號大量現(xiàn)貨
詳情介紹:
鑒于目前廠家對IGBT的非常,三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接鍵合)技術(shù),在IC生產(chǎn)線上制作高速IGBT及模塊系列產(chǎn)品,特點(diǎn)為高速,低飽和壓降,低拖尾電流,正溫度系數(shù)易于并聯(lián),在600V和1200V電壓范圍性能優(yōu)良,分為UF、RUF兩大。模塊簡介IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為新型電力半導(dǎo)體場控自關(guān)斷器件,集功率MOSFET的高速性能與雙極件的低電阻于一體,具有輸進(jìn)阻抗高,電壓控制功耗低,控制電路簡單,耐高壓,承受電流大等特性,在各種電力變換中極廣泛的應(yīng)用。與此同時(shí),各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢技術(shù),主要采用1um以下制作工藝,研制取得一些新進(jìn)展。 [3] 臺灣省FZ1600R17KF6C_B2,型號大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1600R17KF6C_B2,型號大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1600R17KF6C_B2,型號大量現(xiàn)貨FZ1600R17KF6C_B2FZ1600R17KF6C_B2FZ1600R17KF6C_B2IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個(gè)雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖U(溝槽結(jié)構(gòu))--IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞內(nèi)部形成溝槽式柵極。采用溝道結(jié)構(gòu)后,可進(jìn)一步縮小元胞尺寸,溝道電阻,進(jìn)步電流密度,制造相同額定電流而芯片尺寸少的產(chǎn)品?,F(xiàn)有多家公司生產(chǎn)各種U—IGBT產(chǎn)品,適用低電壓驅(qū)動(dòng)、表面貼裝的要求。4、SDB--IGBT判斷好壞臺灣省FZ1600R17KF6C_B2,型號大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1600R17KF6C_B2,型號大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1600R17KF6C_B2,型號大量現(xiàn)貨MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。7、IGBT功率模塊FZ1600R17KF6C_B2
姓名:
電話:
Email:
您的需求:
 

京公網(wǎng)安備 11022802180403號