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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:臺(tái)灣省FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 產(chǎn)品廠商:JOONGWON
  • 產(chǎn)品價(jià)格:0
  • 折扣價(jià)格:0
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簡(jiǎn)單介紹:
臺(tái)灣省FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨
詳情介紹:
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為新型電力半導(dǎo)體場(chǎng)控自關(guān)斷器件,集功率MOSFET的高速性能與雙極件的低電阻于一體,具有輸進(jìn)阻抗高,電壓控制功耗低,控制電路簡(jiǎn)單,耐高壓,承受電流大等特性,在各種電力變換中極廣泛的應(yīng)用。與此同時(shí),各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢(qián)技術(shù),主要采用1um以下制作工藝,研制取得一些新進(jìn)展。 [3] 3、NPT-IGBT7、IGBT功率模塊臺(tái)灣省FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨FF300R12MS4FF300R12MS4臺(tái)灣省FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨
左邊所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極(即發(fā)射極E)。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極(即門(mén)極G)。溝道在柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector),它是IGBT特有的功能區(qū),與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,起發(fā)射極的作用,向漏極注入空穴,進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,以器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極(即集電極C)缺點(diǎn):擊穿電壓低,工作電流小。NPT(非穿通型)--IGBT采用薄硅片技術(shù),以離子注進(jìn)發(fā)射區(qū)代替高復(fù)雜、高本錢(qián)的厚層高阻外延,可生產(chǎn)本錢(qián)25%左右,耐壓越高本錢(qián)差越大,在性能上更具有特色,高速、低損耗、正溫度系數(shù),無(wú)鎖定效應(yīng),在設(shè)計(jì)600—1200V的IGBT時(shí),NPT—IGBT可靠性高。西門(mén)子公司可提供600V、1200V、1700V系列產(chǎn)品和6500V高壓IGBT,并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT,依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列,富士電機(jī)、摩托羅拉等在研制之中,NPT型正成為IGBT發(fā)展方向。IGBT與MOSFET的對(duì)比:檢測(cè)臺(tái)灣省FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨FF300R12MS4FF300R12MS4。
IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,給PNP(原來(lái)為NPN)晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門(mén)極電壓溝道,切斷基極電流,使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N-溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N-層的空穴(少子),對(duì)N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N-層的電阻,使IGBT在高電壓時(shí),也具有低的通態(tài)電壓IR公司在IGBT基礎(chǔ)上推出兩款結(jié)合FRD(快速恢復(fù)二極管)的新型器件,IGBT/FRD有效結(jié)合,將轉(zhuǎn)換狀態(tài)的損耗20%,采用TO—247外型封裝,額定規(guī)格為1200V、25、50、75、100A,用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率轉(zhuǎn)換,以IGBT及FRD為基礎(chǔ)的新技術(shù)便于器件并聯(lián),在多芯片模塊中實(shí)現(xiàn)更均勻的溫度,進(jìn)步整體可靠性。首先將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1KΩ擋,用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí),若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大,調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大,則判斷此極為柵極(G )其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量,若測(cè)得阻值為無(wú)窮大,調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。1、低功率IGBTMOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。臺(tái)灣省FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨FF300R12MS4FF300R12MS4FF300R12MS4FF300R12MS4
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