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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:臺(tái)灣省BSM200GA170DLC,型號(hào)大量現(xiàn)貨

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 產(chǎn)品廠商:JOONGWON
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  • 折扣價(jià)格:0
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簡單介紹:
臺(tái)灣省BSM200GA170DLC,型號(hào)大量現(xiàn)貨
詳情介紹:
U(溝槽結(jié)構(gòu))--IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞內(nèi)部形成溝槽式柵極。采用溝道結(jié)構(gòu)后,可進(jìn)一步縮小元胞尺寸,溝道電阻,進(jìn)步電流密度,制造相同額定電流而芯片尺寸少的產(chǎn)品?,F(xiàn)有多家公司生產(chǎn)各種U—IGBT產(chǎn)品,適用低電壓驅(qū)動(dòng)、表面貼裝的要求。臺(tái)灣省BSM200GA170DLC,型號(hào)大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省BSM200GA170DLC,型號(hào)大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省BSM200GA170DLC,型號(hào)大量現(xiàn)貨BSM200GA170DLCBSM200GA170DLCBSM200GA170DLCIGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個(gè)雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。判斷好壞4、SDB--IGBT臺(tái)灣省BSM200GA170DLC,型號(hào)大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省BSM200GA170DLC,型號(hào)大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省BSM200GA170DLC,型號(hào)大量現(xiàn)貨7、IGBT功率模塊BSM200GA170DLC
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