產(chǎn)品詳情
簡單介紹：
臺灣省BSM400GA170DN2S,圖片大量現(xiàn)貨
詳情介紹：
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：檢測注意事項若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u的漏電流流過，基本上不消耗功率。3、NPT-IGBTIGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。臺灣省BSM400GA170DN2S,圖片大量現(xiàn)貨臺灣省BSM400GA170DN2S,圖片大量現(xiàn)貨臺灣省BSM400GA170DN2S,圖片大量現(xiàn)貨臺灣省BSM400GA170DN2S,圖片大量現(xiàn)貨BSM400GA170DN2SBSM400GA170DN2SBSM400GA170DN2SBSM400GA170DN2S
IGBT 在開通中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又了一段時間。td(on) 為開通時間，tri 為電流上升時間。實際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和，漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。
IGBT 在開通中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又了一段時間。td(on) 為開通時間，tri 為電流上升時間。實際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和，漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。
IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓，柵極電壓可由不同的驅(qū)動電路產(chǎn)生。當選擇這些驅(qū)動電路時，必須基于以下的參數(shù)來進行：器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因為IGBT柵極- 發(fā)射極阻抗大，故可使用MOSFET驅(qū)動技術(shù)進行觸發(fā)，不過由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大，故IGBT的關(guān)斷偏壓應(yīng)該比許多MOSFET驅(qū)動電路提供的偏壓更高。
IGBT在關(guān)斷中，漏極電流的波形變?yōu)閮啥?。因為MOSFET關(guān)斷后，PNP晶體管的存儲電荷難以迅速，造成漏極電流較長的尾部時間，td(off)為關(guān)斷時間，trv為電壓Uds(f)的上升時間。實際應(yīng)用中常常給出的漏極電流的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而漏極電流的關(guān)斷時間
t(off)=td(off)+trv十t(f)6、IGBT/FRD臺灣省BSM400GA170DN2S,圖片大量現(xiàn)貨臺灣省BSM400GA170DN2S,圖片大量現(xiàn)貨臺灣省BSM400GA170DN2S,圖片大量現(xiàn)貨臺灣省臺灣省BSM400GA170DN2S
式中：td(off)與trv之和又稱為存儲時間。
IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET，但明顯高于GTR。IGBT在關(guān)斷時不需要負柵壓來關(guān)斷時間，但關(guān)斷時間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的而。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當。IGBT導通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨柵極電壓的而。特點：擊穿電壓可達1200V，集電極大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作可達20kHz。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導體場控自關(guān)斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極件的低電阻于一體，具有輸進阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中極廣泛的應(yīng)用。與此同時，各大半導體生產(chǎn)廠商不斷IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢技術(shù)，主要采用1um以下制作工藝，研制取得一些新進展。 [3] NPT（非穿通型）--IGBT采用薄硅片技術(shù)，以離子注進發(fā)射區(qū)代替高復雜、高本錢的厚層高阻外延，可生產(chǎn)本錢25%左右，耐壓越高本錢差越大，在性能上更具有特色，高速、低損耗、正溫度系數(shù)，無鎖定效應(yīng)，在設(shè)計600—1200V的IGBT時，NPT—IGBT可靠性高。西門子公司可提供600V、1200V、1700V系列產(chǎn)品和6500V高壓IGBT，并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT，依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列，富士電機、摩托羅拉等在研制之中，NPT型正成為IGBT發(fā)展方向。BSM400GA170DN2SBSM400GA170DN2SBSM400GA170DN2S臺灣省BSM400GA170DN2S,圖片大量現(xiàn)貨臺灣省BSM400GA170DN2S,圖片大量現(xiàn)貨
正式商用的IGBT器件的電壓和電流容量還很有限，遠遠不能電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的需求；高壓領(lǐng)域的許多應(yīng)用中，要求器件的電壓等級達到10KV以上，目前只能通過IGBT高壓串聯(lián)等技術(shù)來實現(xiàn)高壓應(yīng)用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件，德國的EUPEC生產(chǎn)的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經(jīng)實際應(yīng)用，東芝也已涉足該領(lǐng)域。與此同時，各大半導體生產(chǎn)廠商不斷IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、低成本技術(shù)，主要采用1um以下制作工藝，研制取得一些新進展。2013年9月12日 我國自主研發(fā)的高壓大功率3300V/50A IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片及由此芯片封裝的大功率1200A/3300V IGBT模塊通過專家鑒定，自此有了完全自主的IGBT“芯IGBT與MOSFET的對比：檢測臺灣省BSM400GA170DN2S,圖片大量現(xiàn)貨臺灣省BSM400GA170DN2S,圖片大量現(xiàn)貨臺灣省BSM400GA170DN2S,圖片大量現(xiàn)貨臺灣省BSM400GA170DN2S,圖片大量現(xiàn)貨BSM400GA170DN2S圖片
