產(chǎn)品詳情
簡單介紹:
臺灣省1SD536F2-FZ2400R17KE3,型號大量現(xiàn)貨
詳情介紹:
IR公司在IGBT基礎(chǔ)上推出兩款結(jié)合FRD(快速恢復(fù)二極管)的新型器件,IGBT/FRD有效結(jié)合,將轉(zhuǎn)換狀態(tài)的損耗20%,采用TO—247外型封裝,額定規(guī)格為1200V、25、50、75、100A,用于電機驅(qū)動和功率轉(zhuǎn)換,以IGBT及FRD為基礎(chǔ)的新技術(shù)便于器件并聯(lián),在多芯片模塊中實現(xiàn)更均勻的溫度,進步整體可靠性。臺灣省1SD536F2-FZ2400R17KE3,型號大量現(xiàn)貨臺灣省1SD536F2-FZ2400R17KE3,型號大量現(xiàn)貨臺灣省1SD536F2-FZ2400R17KE3,型號大量現(xiàn)貨1SD536F2-FZ2400R17KE31SD536F2-FZ2400R17KE31SD536F2-FZ2400R17KE3IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的集電極(C),紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E),此時萬用表的指針在零位。用同時觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用同時觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E),這時IGBT 被,萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT 是好的。IGBT應(yīng)用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域,為家電行業(yè)的發(fā)展需求,摩托羅拉、ST半導(dǎo)體、三菱等公司推出低功率IGBT產(chǎn)品,實用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機、電磁灶、電子整流器、照相機等產(chǎn)品的應(yīng)用。7、IGBT功率模塊主要優(yōu)點:熱性好、工作區(qū)大。臺灣省1SD536F2-FZ2400R17KE3,型號大量現(xiàn)貨臺灣省1SD536F2-FZ2400R17KE3,型號大量現(xiàn)貨臺灣省1SD536F2-FZ2400R17KE3,型號大量現(xiàn)貨檢測注意事項1SD536F2-FZ2400R17KE3