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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 產(chǎn)品廠商:JOONGWON
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簡單介紹:
內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨
詳情介紹:
IGBT應(yīng)用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域,為家電行業(yè)的發(fā)展需求,摩托羅拉、ST半導(dǎo)體、三菱等公司推出低功率IGBT產(chǎn)品,實(shí)用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機(jī)、電磁灶、電子整流器、照相機(jī)等產(chǎn)品的應(yīng)用。首先將萬用表撥在R×1KΩ擋,用萬用表測量時(shí),若某一極與其它兩極阻值為無窮大,調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大,則判斷此極為柵極(G )其余兩極再用萬用表測量,若測得阻值為無窮大,調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。IR公司在IGBT基礎(chǔ)上推出兩款結(jié)合FRD(快速恢復(fù)二極管)的新型器件,IGBT/FRD有效結(jié)合,將轉(zhuǎn)換狀態(tài)的損耗20%,采用TO—247外型封裝,額定規(guī)格為1200V、25、50、75、100A,用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率轉(zhuǎn)換,以IGBT及FRD為基礎(chǔ)的新技術(shù)便于器件并聯(lián),在多芯片模塊中實(shí)現(xiàn)更均勻的溫度,進(jìn)步整體可靠性。內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨FF300R12MS4FF300R12MS4FF300R12MS4內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。
IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí),漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ,正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān),反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N+緩沖區(qū),則正反向電壓可以做到同樣水平,加入N+緩沖區(qū)后,反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平,因此了IGBT 的某些應(yīng)用范圍。
IGBT 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同,當(dāng)柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時(shí),IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT 導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi), Id 與Ugs呈線性關(guān)系。高柵源電壓受大漏極電流,其佳值一般取為15V左右。IGBT動(dòng)態(tài)特性
動(dòng)態(tài)特性又稱開關(guān)特性,IGBT的開關(guān)特性分為兩大部分:一是開關(guān)速度,主要指標(biāo)是開關(guān)中各部分時(shí)間;另一個(gè)是開關(guān)中的損耗。
IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時(shí),由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管,所以其B 值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu),但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。此時(shí),通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示::
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh1、低功率IGBTMOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨FF300R12MS4FF300R12MS4
式中Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓,其值為0.7 ~1V ;Udr ——擴(kuò)展電阻Rdr 上的壓降;Roh ——溝道電阻。
通態(tài)電流Ids 可用下式表示:
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos ——流過MOSFET 的電流。判斷好壞4、SDB--IGBT7、IGBT功率模塊內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨FF300R12MS4FF300R12MS4
由于N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),所以IGBT 的通態(tài)壓降小,耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 ~ 3V 。IGBT 處于斷態(tài)時(shí),只有很小的泄漏電流存在。
IGBT 在開通中,大部分時(shí)間是作為MOSFET 來運(yùn)行的,只是在漏源電壓Uds 下降后期, PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,又了一段時(shí)間。td(on) 為開通時(shí)間,tri 為電流上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時(shí)間ton 即為td (on) tri 之和,漏源電壓的下降時(shí)間由tfe1 和tfe2 組成。將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的集電極(C),紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E),此時(shí)萬用表的指針在零位。用同時(shí)觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用同時(shí)觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E),這時(shí)IGBT 被,萬用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。主要優(yōu)點(diǎn):熱性好、工作區(qū)大。檢測注意事項(xiàng)內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12MS4,價(jià)格 大量現(xiàn)貨FF300R12MS4FF300R12MS4
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