1、低功率IGBT內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1000R12KF4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1000R12KF4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1000R12KF4,圖片大量現(xiàn)貨FZ1000R12KF4FZ1000R12KF4FZ1000R12KF4IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個(gè)雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。判斷好壞4、SDB--IGBTMOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1000R12KF4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1000R12KF4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1000R12KF4,圖片大量現(xiàn)貨首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極(G )其余兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。FZ1000R12KF4