任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用　表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導(dǎo)通，而無法判斷IGBT 的好壞。此同樣也可以用于檢測功率場效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12ME4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12ME4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12ME4,圖片大量現(xiàn)貨FF300R12ME4FF300R12ME4FF300R12ME4IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖NPT（非穿通型）--IGBT采用薄硅片技術(shù)，以離子注進發(fā)射區(qū)代替高復(fù)雜、高本錢的厚層高阻外延，可生產(chǎn)本錢25%左右，耐壓越高本錢差越大，在性能上更具有特色，高速、低損耗、正溫度系數(shù)，無鎖定效應(yīng)，在設(shè)計600—1200V的IGBT時，NPT—IGBT可靠性高。西門子公司可提供600V、1200V、1700V系列產(chǎn)品和6500V高壓IGBT，并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT，依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列，富士電機、摩托羅拉等在研制之中，NPT型正成為IGBT發(fā)展方向。7、IGBT功率模塊IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12ME4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12ME4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF300R12ME4,圖片大量現(xiàn)貨整流器IR公司的研發(fā)重點在于IGBT的拖尾效應(yīng)，使其能快速關(guān)斷，研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效應(yīng)，關(guān)斷時間不超過2000ns，采用特殊高能照射分層技術(shù)，關(guān)斷時間可在100ns以下，拖尾更短，重點產(chǎn)品專為電機控制而設(shè)計，現(xiàn)有6種型號，另可用在大功率電源變換器中。FF300R12ME4