青青草伊人在先线_成龙历险记之面具_东北大炕上的一家人_有多少爱可以重来人海中_重生玩遍官场贵妇

產(chǎn)品詳情

  • 產(chǎn)品名稱(chēng)：內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2,圖片大量現(xiàn)貨

  • 產(chǎn)品型號(hào)：
  • 產(chǎn)品廠(chǎng)商：JOONGWON
  • 產(chǎn)品價(jià)格：0
  • 折扣價(jià)格：0
  • 產(chǎn)品文檔：
你添加了1件商品 查看購(gòu)物車(chē)
簡(jiǎn)單介紹：
內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2,圖片大量現(xiàn)貨
詳情介紹：
1、低功率IGBT內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2,圖片大量現(xiàn)貨BSM300GA170DN2BSM300GA170DN2BSM300GA170DN2IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個(gè)雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡(jiǎn)化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖MOSFET全稱(chēng)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。3、NPT-IGBT檢測(cè)內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2,圖片大量現(xiàn)貨5、超快速I(mǎi)GBT缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。BSM300GA170DN2
姓名：
電話(huà)：
Email：
您的需求：
 

京公網(wǎng)安備 11022802180403號(hào)