產(chǎn)品詳情
簡單介紹：
內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17HP4_B2,型號大量現(xiàn)貨
詳情介紹：
檢測注意事項(xiàng)IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高的大、率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的集電極(C)，紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E)，此時萬用表的指針在零位。用同時觸及一下柵極(G)和集電極(C)，這時IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用同時觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E)，這時IGBT 被，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT 是好的。檢測NPT（非穿通型）--IGBT采用薄硅片技術(shù)，以離子注進(jìn)發(fā)射區(qū)代替高復(fù)雜、高本錢的厚層高阻外延，可生產(chǎn)本錢25%左右，耐壓越高本錢差越大，在性能上更具有特色，高速、低損耗、正溫度系數(shù)，無鎖定效應(yīng)，在設(shè)計(jì)600—1200V的IGBT時，NPT—IGBT可靠性高。西門子公司可提供600V、1200V、1700V系列產(chǎn)品和6500V高壓IGBT，并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT，依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列，富士電機(jī)、摩托羅拉等在研制之中，NPT型正成為IGBT發(fā)展方向。內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17HP4_B2,型號大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17HP4_B2,型號大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17HP4_B2,型號大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17HP4_B2,型號大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17HP4_B2,型號大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)內(nèi)蒙古自治區(qū)內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17HP4_B2FZ1600R17HP4_B2【變量2】IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。IGBT與MOSFET的對比：IR公司在IGBT基礎(chǔ)上推出兩款結(jié)合FRD（快速恢復(fù)二極管）的新型器件，IGBT/FRD有效結(jié)合，將轉(zhuǎn)換狀態(tài)的損耗20%，采用TO—247外型封裝，額定規(guī)格為1200V、25、50、75、100A，用于電機(jī)驅(qū)動和功率轉(zhuǎn)換，以IGBT及FRD為基礎(chǔ)的新技術(shù)便于器件并聯(lián)，在多芯片模塊中實(shí)現(xiàn)更均勻的溫度，進(jìn)步整體可靠性。首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極(G )其余兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。1、低功率IGBT內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17HP4_B2,型號大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17HP4_B2,型號大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17HP4_B2,型號大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17HP4_B2,型號大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)內(nèi)蒙古自治區(qū)內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17HP4_B2FZ1600R17HP4_B2FZ1600R17HP4_B2
IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上；MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。判斷好壞4、SDB--IGBT7、IGBT功率模塊內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17HP4_B2,型號大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17HP4_B2,型號大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17HP4_B2,型號大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17HP4_B2,型號大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17HP4_B2,型號大量現(xiàn)貨型號型號型號FZ1600R17HP4_B2FZ1600R17HP4_B2FZ1600R17HP4_B2
IGBT模塊具有節(jié)能、安裝方便、散熱等特點(diǎn)；當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見；
IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣IGBT應(yīng)用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域，為家電行業(yè)的發(fā)展需求，摩托羅拉、ST半導(dǎo)體、三菱等公司推出低功率IGBT產(chǎn)品，實(shí)用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機(jī)、電磁灶、電子整流器、照相機(jī)等產(chǎn)品的應(yīng)用。主要優(yōu)點(diǎn)：熱性好、工作區(qū)大。鑒于目前廠家對IGBT的非常，三星、快捷等公司采用SDB（硅片直接鍵合）技術(shù)，在IC生產(chǎn)線上制作高速IGBT及模塊系列產(chǎn)品，特點(diǎn)為高速，低飽和壓降，低拖尾電流，正溫度系數(shù)易于并聯(lián)，在600V和1200V電壓范圍性能優(yōu)良，分為UF、RUF兩大。任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用 表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導(dǎo)通，而無法判斷IGBT 的好壞。此同樣也可以用于檢測功率場效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。2、U-IGBT內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17HP4_B2,型號大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17HP4_B2,型號大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17HP4_B2,型號大量現(xiàn)貨FZ1600R17HP4_B2FZ1600R17HP4_B2FZ1600R17HP4_B2FZ1600R17HP4_B2FZ1600R17HP4_B2
