產(chǎn)品詳情
簡單介紹:
臺灣省FF300R12KS4,型號大量現(xiàn)貨
詳情介紹:
整流器IR公司的研發(fā)重點在于IGBT的拖尾效應,使其能快速關斷,研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效應,關斷時間不超過2000ns,采用特殊高能照射分層技術,關斷時間可在100ns以下,拖尾更短,重點產(chǎn)品專為電機控制而設計,現(xiàn)有6種型號,另可用在大功率電源變換器中。臺灣省FF300R12KS4,型號大量現(xiàn)貨臺灣省FF300R12KS4,型號大量現(xiàn)貨臺灣省FF300R12KS4,型號大量現(xiàn)貨FF300R12KS4FF300R12KS4FF300R12KS4IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降,轉換成一個低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結構,同一個雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。3、NPT-IGBTIGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時,集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似,也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導通區(qū)。IGBT的轉移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關系曲線。它與MOSFET的轉移特性相同,當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時,IGBT處于關斷狀態(tài)。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內(nèi),IC與VGE呈線性關系。臺灣省FF300R12KS4,型號大量現(xiàn)貨臺灣省FF300R12KS4,型號大量現(xiàn)貨臺灣省FF300R12KS4,型號大量現(xiàn)貨若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOS 截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓,只有在u的漏電流流過,基本上不消耗功率。FF300R12KS4