產(chǎn)品詳情
簡單介紹:
臺(tái)灣省BSM300GA170DN2,價(jià)格 大量現(xiàn)貨
詳情介紹:
1、低功率IGBT缺點(diǎn):擊穿電壓低,工作電流小。模塊簡介檢測注意事項(xiàng)判斷好壞臺(tái)灣省BSM300GA170DN2,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省BSM300GA170DN2,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省BSM300GA170DN2,價(jià)格 大量現(xiàn)貨BSM300GA170DN2BSM300GA170DN2
左邊所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極(即發(fā)射極E)。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極(即門極G)。溝道在柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector),它是IGBT特有的功能區(qū),與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,起發(fā)射極的作用,向漏極注入空穴,進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,以器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極(即集電極C)IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn),既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn),又具有雙極型器件飽和壓而容量大的優(yōu)點(diǎn),其特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz范圍內(nèi),在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中了越來越廣泛的應(yīng)用,在較高的大、率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。U(溝槽結(jié)構(gòu))--IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞內(nèi)部形成溝槽式柵極。采用溝道結(jié)構(gòu)后,可進(jìn)一步縮小元胞尺寸,溝道電阻,進(jìn)步電流密度,制造相同額定電流而芯片尺寸少的產(chǎn)品?,F(xiàn)有多家公司生產(chǎn)各種U—IGBT產(chǎn)品,適用低電壓驅(qū)動(dòng)、表面貼裝的要求。輸出特性與轉(zhuǎn)移特性:臺(tái)灣省BSM300GA170DN2,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省BSM300GA170DN2,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省BSM300GA170DN2,價(jià)格 大量現(xiàn)貨BSM300GA170DN2BSM300GA170DN2。
左邊所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極(即發(fā)射極E)。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極(即門極G)。溝道在柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector),它是IGBT特有的功能區(qū),與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,起發(fā)射極的作用,向漏極注入空穴,進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,以器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極(即集電極C)IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn),既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn),又具有雙極型器件飽和壓而容量大的優(yōu)點(diǎn),其特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz范圍內(nèi),在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中了越來越廣泛的應(yīng)用,在較高的大、率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。U(溝槽結(jié)構(gòu))--IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞內(nèi)部形成溝槽式柵極。采用溝道結(jié)構(gòu)后,可進(jìn)一步縮小元胞尺寸,溝道電阻,進(jìn)步電流密度,制造相同額定電流而芯片尺寸少的產(chǎn)品?,F(xiàn)有多家公司生產(chǎn)各種U—IGBT產(chǎn)品,適用低電壓驅(qū)動(dòng)、表面貼裝的要求。輸出特性與轉(zhuǎn)移特性:臺(tái)灣省BSM300GA170DN2,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省BSM300GA170DN2,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省BSM300GA170DN2,價(jià)格 大量現(xiàn)貨BSM300GA170DN2BSM300GA170DN2。
IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓溝道,切斷基極電流,使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N-溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N-層的空穴(少子),對N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N-層的電阻,使IGBT在高電壓時(shí),也具有低的通態(tài)電壓整流器IR公司的研發(fā)重點(diǎn)在于IGBT的拖尾效應(yīng),使其能快速關(guān)斷,研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效應(yīng),關(guān)斷時(shí)間不超過2000ns,采用特殊高能照射分層技術(shù),關(guān)斷時(shí)間可在100ns以下,拖尾更短,重點(diǎn)產(chǎn)品專為電機(jī)控制而設(shè)計(jì),現(xiàn)有6種型號,另可用在大功率電源變換器中。IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。3、NPT-IGBT臺(tái)灣省BSM300GA170DN2,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省BSM300GA170DN2,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省BSM300GA170DN2,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省BSM300GA170DN2,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省BSM300GA170DN2,價(jià)格 大量現(xiàn)貨BSM300GA170DN2BSM300GA170DN2BSM300GA170DN2BSM300GA170DN2