6、IGBT/FRD臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨FZ800R16KF4_S1FZ800R16KF4_S1FZ800R16KF4_S1FZ800R16KF4_S1FZ800R16KF4_S1FZ800R16KF4_S1FS200R07A1E3
FZ1200R12KF4
FS400R07A1E3
FZ2400R12KF4
FS400R07A1E3_H5
FZ1800R12KF4
FS600R07A2E3
FZ1600R12KF4
FS600R07A2E3 特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極大飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作可達(dá)20kHz。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導(dǎo)體場(chǎng)控自關(guān)斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極件的低電阻于一體，具有輸進(jìn)阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡(jiǎn)單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中極廣泛的應(yīng)用。與此同時(shí)，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢(qián)技術(shù)，主要采用1um以下制作工藝，研制取得一些新進(jìn)展。 [3] NPT（非穿通型）--IGBT采用薄硅片技術(shù)，以離子注進(jìn)發(fā)射區(qū)代替高復(fù)雜、高本錢(qián)的厚層高阻外延，可生產(chǎn)本錢(qián)25%左右，耐壓越高本錢(qián)差越大，在性能上更具有特色，高速、低損耗、正溫度系數(shù)，無(wú)鎖定效應(yīng)，在設(shè)計(jì)600—1200V的IGBT時(shí)，NPT—IGBT可靠性高。西門(mén)子公司可提供600V、1200V、1700V系列產(chǎn)品和6500V高壓IGBT，并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT，依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列，富士電機(jī)、摩托羅拉等在研制之中，NPT型正成為IGBT發(fā)展方向。IGBT與MOSFET的對(duì)比：檢測(cè)臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨FZ800R16KF4_S1FZ800R16KF4_S1
FZ300R12KE3G
FS800R07A2E3
FZ400R12KE3
FZ600R12KE3
FZ800R12KE3
FZ1200R12KE3
FZ3600R12HP4
FZ2400R12HP4_B9
FZ1800R12HP4_B9
FZ2400R12HP4
FZ1600R12HP4
FZ1200R12HP4IR公司在IGBT基礎(chǔ)上推出兩款結(jié)合FRD（快速恢復(fù)二極管）的新型器件，IGBT/FRD有效結(jié)合，將轉(zhuǎn)換狀態(tài)的損耗20%，采用TO—247外型封裝，額定規(guī)格為1200V、25、50、75、100A，用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率轉(zhuǎn)換，以IGBT及FRD為基礎(chǔ)的新技術(shù)便于器件并聯(lián)，在多芯片模塊中實(shí)現(xiàn)更均勻的溫度，進(jìn)步整體可靠性。首先將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1KΩ擋，用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大，則判斷此極為柵極(G )其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量，若測(cè)得阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。1、低功率IGBTMOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。判斷好壞臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨FZ800R16KF4_S1FZ800R16KF4_S1
FZ900R12KP4
FZ900R12KE4
FZ600R12KE4
FZ400R12KP4
FZ400R12KE4
FZ3600R12KE3
FZ2400R12KE3_B9
FZ2400R12KE3
FZ1600R12KE3
FZ1200R12KE3
FZ600R12KE3B1
FZ800R12KS4_B5
FZ2400R12KL4C
FZ1800R12KL4C
FZ1600R12KL4C
FZ1200R12KL4C
FZ800R12KL4C
FZ2400R12KF44、SDB--IGBT7、IGBT功率模塊將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的集電極(C)，紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E)，此時(shí)萬(wàn)用表的指針在零位。用同時(shí)觸及一下柵極(G)和集電極(C)，這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬(wàn)用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用同時(shí)觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E)，這時(shí)IGBT 被，萬(wàn)用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。IGBT應(yīng)用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域，為家電行業(yè)的發(fā)展需求，摩托羅拉、ST半導(dǎo)體、三菱等公司推出低功率IGBT產(chǎn)品，實(shí)用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機(jī)、電磁灶、電子整流器、照相機(jī)等產(chǎn)品的應(yīng)用。主要優(yōu)點(diǎn)：熱性好、工作區(qū)大。臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨
FZ1800R12KF4
FZ1600R12KF4
FZ1200R12KF4
FZ800R12KF4
FZ800R12KF4_S1
FZ1000R12KF4_S1
FZ1200R12KF4_S1
FZ1800R12KF4_S1
FZ800R12KF4S1
FZ1000R12KF4S1
FZ1200R12KF4S1
FZ1800R12KF4S1
FZ600R12KS4
FZ800R12KS4
FZ900R12KF5
FZ1200R12KF5
FZ800R12KF1
FZ1000R12KF1
FZ1200R12KF1
FZ1000R12KF5
FZ1000R12KF4
FZ1600R12KF1
B200GA170DN2S_E3256
B200GA170DLC
B200GA170DN2
BSGA170DLC
BSGA170DN2
BSGA170DN2S
BSGA170DN2S_E3256
B400GA170DN2S_E3256
B400GA170DN2S
B400GA170DN2鑒于目前廠家對(duì)IGBT的非常，三星、快捷等公司采用SDB（硅片直接鍵合）技術(shù)，在IC生產(chǎn)線上制作高速I(mǎi)GBT及模塊系列產(chǎn)品，特點(diǎn)為高速，低飽和壓降，低拖尾電流，正溫度系數(shù)易于并聯(lián)，在600V和1200V電壓范圍性能優(yōu)良，分為UF、RUF兩大。任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測(cè)IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí)，一定要將萬(wàn)用　表?yè)茉赗×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通，而無(wú)法判斷IGBT 的好壞。此同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。2、U-IGBT臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨FZ800R16KF4_S1FZ800R16KF4_S1FZ800R16KF4_S1
B400GA170DLC
FZ3600R17HP4
FZ3600R17HP4_B2
FZ2400R17HP4_B9
FZ2400R17HP4_B29
FZ1800R17HP4_B9
FZ1800R17HP4_B29
FZ2400R17HP4
FZ2400R17HP4_B2
FZ1600R17HP4
FZ1600R17HP4_B2
FZ1200R17HP4
FZ1200R17HP4_B2
FZ600RE4
FZ400RE4
FZ3600RE4
FZ3600RE3_B2
FZ2400RE3_B9
FZ1800RE3_B9
FZ2400RE3
FZ1600RE3
FZ1600RE3_B2
FZ1200RE3
FZ1200RE3_B2
FZ800RE3IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng)，各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車(chē)VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大電路接線電感，進(jìn)步效率，現(xiàn)已成功**代IPEM，其中所有的無(wú)源元件以埋層掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱門(mén)。模塊簡(jiǎn)介臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨FZ800R16KF4_S1FZ800R16KF4_S1FZ800R16KF4_S1
FZ600RE3
FZ400RE3
FZ2400RF6C_B2
FZ1600RF6C_B2
FZ1200RF6C_B2
FZ800RF6C_B2
FZ300RE3G
FZ800R16KF4
FZ800R16KF4
FZ1000R16KF1
FZ1000R16KF4
FZ1200R16KF1
FZ1200R16KF4
FZ1800R16KF4
FZ800R16KF4_S1
FZ1000R16KF4_S1
FZ1200R16KF4_S1
FZ1800R16KF4_S1
FZ800R16KF4S1
FZ1000R16KF4S1
FZ1200R16KF4S1
FZ1800R16KF4S1
 FF200R06KE3
FF300R06KE3
FF400R06KE3
FF600R06KE3
FF600R07ME4 B11
FF450R07ME4 B11
FF300R07ME4 B11
FF400R07KE4
FF300R07KE4
FF600R06ME3
FF450R06ME3
FF400R06KE3
FF300R06KE3
FF300R06KE3_B2
FF200R06KE3
FF200R06YE3
FF800R06KF1
B50GB120DN2
B75GB120DN2
B50GB120DLC
B75GB120DLC
B100GB120DN2K
B100GB120DLCK
B150GB120DLC
B150GB120DN2
B200GB120DLC
B200GB120DN2
BSGB120DN2
BSGB120DLC
B35GB120DL
B50GB120DL
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B100GB120DL
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B200GB120DL
B100GB120DN2_E3256
B150GB120DN2_E3256
B200GB120DN2_E3256
BSGB120DN2_E3256
B100GB120DLC_E3256
B150GB120DLC_E3256
B200GB120DLC_E3256
BSGB120DLC_E3256
FF400R12IS4F
FF300R12MS4
FF225R12MS4
FF150R12MS4G
FF300R12KS4
FF200R12KS4
FF150R12KS4
FF150R12KS4_B2
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FF150R12RT4
FF150R12KE3G
FF150R12KT3G
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FF200R12KT4
FF300R12KT4
FF300R12KT3
FF300R12KE3
FF200R12KE3_E
FF300R12KE3_E
FF400R12KE3_3
FF200R12KT3_E
FF300R12KT3_E
FF400R12KT3_E
FF400R12KE3
FF400R12KT3
FF400R12KT4
FF400R12KF4
FF450R12KT4
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FF600R12KT4
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FF800R12KT3
FF800R12KE3
FF800R12KL4C
FF600R12KL4C
FF400R12KL4C
FF800R12KF4
FF600R12KF4
FF1400R12IP4
FF900R12IE4
FF900R12IP4
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FF600R12IP4
FF600R12IE4
FF450R12IE4
FF600R12ME4
FF450R12ME4
FF300R12ME4
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FF400R12KE4
FF450R12ME3
FF300R12ME3
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FF800R12KL4C
FF600R12KL4C
FF400R12KL4C
FF800R12KF4
FF600R12KF4
FF400R12KF4
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FF200R12KS4
FF300R12KS4
FF150R12KS4_B2
FF1200R12KF4
FF1200R12KL4C
FF1200R12KE3
FF1600R12KE3
FZ1500R33HE3
FZ1200R33HE3
FZ1000R33HE3
FZ1000R33HL3
FZ1500R33HL3
FZ1200R33HL3
FZ1200R33KL2C
FZ1200R33KL2C B5
FZ800R33KL2C
FZ800R33KL2C B5
FZ1200R33KF2C
FZ800R33KF2C
FF400R33KF2C
FF200R33KF2C
FZ1500R25KF1
FZ1200R33KF1
FD1000R33KE3-K
FD800R33KL2C-K B5
FD800R33KF2C-K
FD800R33KF2C
FD400R33KF2C-K
FD400R33KF2C
FF400R33KF1
FZ800R33KF1
FF200R33KF2
FF400R33KF2
FZ1200R33KF2
FZ800R33KF2
FZ200R65KF1
1SD536F2-FZ2400RE3
1SD536F2-FZ1200R33KF2
1SD418F2-5SAN1200E330
2SP0320V2AO-FF650R17IE4
2SP0320V2AO-FF1000R17IE4
2SP0320V2A5、超快速I(mǎi)GBT缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫(xiě)，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，在較高的大、率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。臺(tái)灣省FZ800R16KF4_S1,銷(xiāo)售大量現(xiàn)貨