產(chǎn)品詳情
簡單介紹:
臺灣省FZ1800R16KF4S1,型號大量現(xiàn)貨
詳情介紹:
1、低功率IGBT臺灣省FZ1800R16KF4S1,型號大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R16KF4S1,型號大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R16KF4S1,型號大量現(xiàn)貨FZ1800R16KF4S1FZ1800R16KF4S1FZ1800R16KF4S1IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖判斷好壞IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融合了這兩種器件的優(yōu)點,既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點,又具有雙極型器件飽和壓而容量大的優(yōu)點,其特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz范圍內(nèi),在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中了越來越廣泛的應(yīng)用,在較高的大、率應(yīng)用中占據(jù)了主導地位。輸出特性與轉(zhuǎn)移特性:臺灣省FZ1800R16KF4S1,型號大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R16KF4S1,型號大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R16KF4S1,型號大量現(xiàn)貨整流器IR公司的研發(fā)重點在于IGBT的拖尾效應(yīng),使其能快速關(guān)斷,研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效應(yīng),關(guān)斷時間不超過2000ns,采用特殊高能照射分層技術(shù),關(guān)斷時間可在100ns以下,拖尾更短,重點產(chǎn)品專為電機控制而設(shè)計,現(xiàn)有6種型號,另可用在大功率電源變換器中。FZ1800R16KF4S1