產品詳情
簡單介紹：
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詳情介紹：
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導體場控自關斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極件的低電阻于一體，具有輸進阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中極廣泛的應用。與此同時，各大半導體生產廠商不斷IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢技術，主要采用1um以下制作工藝，研制取得一些新進展。 [3] IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優(yōu)點，又具有雙極型器件飽和壓而容量大的優(yōu)點，其特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz范圍內，在現(xiàn)代電力電子技術中了越來越廣泛的應用，在較高的大、率應用中占據了主導地位。檢測整流器IR公司的研發(fā)重點在于IGBT的拖尾效應，使其能快速關斷，研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效應，關斷時間不超過2000ns，采用特殊高能照射分層技術，關斷時間可在100ns以下，拖尾更短，重點產品專為電機控制而設計，現(xiàn)有6種型號，另可用在大功率電源變換器中。7、IGBT功率模塊IGBT應用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域，為家電行業(yè)的發(fā)展需求，摩托羅拉、ST半導體、三菱等公司推出低功率IGBT產品，實用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機、電磁灶、電子整流器、照相機等產品的應用。臺灣省FZ1800R16KF4,廠家大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R16KF4,廠家大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R16KF4,廠家大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R16KF4,廠家大量現(xiàn)貨FZ1800R16KF4FZ1800R16KF4FZ1800R16KF4
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉移特性。
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IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區(qū)，則正反向電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平，因此了IGBT 的某些應用范圍。
IGBT 的轉移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關系曲線。它與MOSFET 的轉移特性相同，當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時，IGBT 處于關斷狀態(tài)。在IGBT 導通后的大部分漏極電流范圍內， Id 與Ugs呈線性關系。高柵源電壓受大漏極電流，其佳值一般取為15V左右。IGBT動態(tài)特性
動態(tài)特性又稱開關特性，IGBT的開關特性分為兩大部分：一是開關速度，主要指標是開關中各部分時間；另一個是開關中的損耗。
IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT 處于導通態(tài)時，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。此時，通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示：：
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的集電極(C)，紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E)，此時萬用表的指針在零位。用同時觸及一下柵極(G)和集電極(C)，這時IGBT 被觸發(fā)導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用同時觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E)，這時IGBT 被，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT 是好的。4、SDB--IGBT臺灣省FZ1800R16KF4,廠家大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R16KF4,廠家大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R16KF4,廠家大量現(xiàn)貨FZ1800R16KF4FZ1800R16KF4
式中Uj1 —— JI 結的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——擴展電阻Rdr 上的壓降；Roh ——溝道電阻。
通態(tài)電流Ids 可用下式表示：
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos ——流過MOSFET 的電流。MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。判斷好壞主要優(yōu)點：熱性好、工作區(qū)大。檢測注意事項臺灣省FZ1800R16KF4,廠家大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R16KF4,廠家大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R16KF4,廠家大量現(xiàn)貨FZ1800R16KF4FZ1800R16KF4
由于N+ 區(qū)存在電導調制效應，所以IGBT 的通態(tài)壓降小，耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 ～ 3V 。IGBT 處于斷態(tài)時，只有很小的泄漏電流存在。
IGBT 在開通中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又了一段時間。td(on) 為開通時間，tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和，漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。鑒于目前廠家對IGBT的非常，三星、快捷等公司采用SDB（硅片直接鍵合）技術，在IC生產線上制作高速IGBT及模塊系列產品，特點為高速，低飽和壓降，低拖尾電流，正溫度系數(shù)易于并聯(lián)，在600V和1200V電壓范圍性能優(yōu)良，分為UF、RUF兩大。任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用 表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導通，而無法判斷IGBT 的好壞。此同樣也可以用于檢測功率場效應晶體管(P-MOSFET)的好壞。臺灣省FZ1800R16KF4,廠家大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R16KF4,廠家大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R16KF4,廠家大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R16KF4,廠家大量現(xiàn)貨FZ1800R16KF4FZ1800R16KF4
