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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:臺灣省FF600R12IS4F,型號大量現(xiàn)貨

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  • 產(chǎn)品廠商:JOONGWON
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臺灣省FF600R12IS4F,型號大量現(xiàn)貨
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3、NPT-IGBT2、U-IGBT臺灣省FF600R12IS4F,型號大量現(xiàn)貨臺灣省FF600R12IS4F,型號大量現(xiàn)貨臺灣省FF600R12IS4F,型號大量現(xiàn)貨FF600R12IS4FFF600R12IS4FFF600R12IS4FIGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖1、低功率IGBTMOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為新型電力半導(dǎo)體場控自關(guān)斷器件,集功率MOSFET的高速性能與雙極件的低電阻于一體,具有輸進阻抗高,電壓控制功耗低,控制電路簡單,耐高壓,承受電流大等特性,在各種電力變換中極廣泛的應(yīng)用。與此同時,各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢技術(shù),主要采用1um以下制作工藝,研制取得一些新進展。 [3] 臺灣省FF600R12IS4F,型號大量現(xiàn)貨臺灣省FF600R12IS4F,型號大量現(xiàn)貨臺灣省FF600R12IS4F,型號大量現(xiàn)貨特點:擊穿電壓可達1200V,集電極大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上,工作可達20kHz。FF600R12IS4F
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