產(chǎn)品詳情
簡單介紹：
臺灣省FZ1800R12HP4_B9,廠家大量現(xiàn)貨
詳情介紹：
輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：主要優(yōu)點：熱性好、工作區(qū)大。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導體場控自關(guān)斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極件的低電阻于一體，具有輸進阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中極廣泛的應用。與此同時，各大半導體生產(chǎn)廠商不斷IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢技術(shù)，主要采用1um以下制作工藝，研制取得一些新進展。 [3] 特點：擊穿電壓可達1200V，集電極大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作可達20kHz。臺灣省FZ1800R12HP4_B9,廠家大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R12HP4_B9,廠家大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R12HP4_B9,廠家大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R12HP4_B9,廠家大量現(xiàn)貨FZ1800R12HP4_B9FZ1800R12HP4_B9FZ1800R12HP4_B9
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。
IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結(jié)承擔，反向電壓由J1結(jié)承擔。如果無N+緩沖區(qū)，則正反向電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達到幾十伏水平，因此了IGBT 的某些應用范圍。
IGBT 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同，當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時，IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT 導通后的大部分漏極電流范圍內(nèi)， Id 與Ugs呈線性關(guān)系。高柵源電壓受大漏極電流，其佳值一般取為15V左右。IGBT動態(tài)特性
動態(tài)特性又稱開關(guān)特性，IGBT的開關(guān)特性分為兩大部分：一是開關(guān)速度，主要指標是開關(guān)中各部分時間；另一個是開關(guān)中的損耗。
IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導通態(tài)時，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。此時，通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示：：
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh6、IGBT/FRDNPT（非穿通型）--IGBT采用薄硅片技術(shù)，以離子注進發(fā)射區(qū)代替高復雜、高本錢的厚層高阻外延，可生產(chǎn)本錢25%左右，耐壓越高本錢差越大，在性能上更具有特色，高速、低損耗、正溫度系數(shù)，無鎖定效應，在設(shè)計600—1200V的IGBT時，NPT—IGBT可靠性高。西門子公司可提供600V、1200V、1700V系列產(chǎn)品和6500V高壓IGBT，并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT，依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列，富士電機、摩托羅拉等在研制之中，NPT型正成為IGBT發(fā)展方向。IGBT與MOSFET的對比：檢測臺灣省FZ1800R12HP4_B9,廠家大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R12HP4_B9,廠家大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R12HP4_B9,廠家大量現(xiàn)貨FZ1800R12HP4_B9FZ1800R12HP4_B9
式中Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——擴展電阻Rdr 上的壓降；Roh ——溝道電阻。
通態(tài)電流Ids 可用下式表示：
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos ——流過MOSFET 的電流。IR公司在IGBT基礎(chǔ)上推出兩款結(jié)合FRD（快速恢復二極管）的新型器件，IGBT/FRD有效結(jié)合，將轉(zhuǎn)換狀態(tài)的損耗20%，采用TO—247外型封裝，額定規(guī)格為1200V、25、50、75、100A，用于電機驅(qū)動和功率轉(zhuǎn)換，以IGBT及FRD為基礎(chǔ)的新技術(shù)便于器件并聯(lián)，在多芯片模塊中實現(xiàn)更均勻的溫度，進步整體可靠性。首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極(G )其余兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。1、低功率IGBT臺灣省FZ1800R12HP4_B9,廠家大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R12HP4_B9,廠家大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R12HP4_B9,廠家大量現(xiàn)貨FZ1800R12HP4_B9FZ1800R12HP4_B9
由于N+ 區(qū)存在電導調(diào)制效應，所以IGBT 的通態(tài)壓降小，耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 ～ 3V 。IGBT 處于斷態(tài)時，只有很小的泄漏電流存在。
IGBT 在開通中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又了一段時間。td(on) 為開通時間，tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和，漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。判斷好壞臺灣省FZ1800R12HP4_B9,廠家大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R12HP4_B9,廠家大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R12HP4_B9,廠家大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1800R12HP4_B9,廠家大量現(xiàn)貨FZ1800R12HP4_B9FZ1800R12HP4_B9
