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檢測注意事項內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2S_E3256,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2S_E3256,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2S_E3256,圖片大量現(xiàn)貨BSM300GA170DN2S_E3256BSM300GA170DN2S_E3256BSM300GA170DN2S_E3256IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融合了這兩種器件的優(yōu)點,既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點,又具有雙極型器件飽和壓而容量大的優(yōu)點,其特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz范圍內(nèi),在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中了越來越廣泛的應(yīng)用,在較高的大、率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。判斷好壞4、SDB--IGBT7、IGBT功率模塊內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2S_E3256,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2S_E3256,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2S_E3256,圖片大量現(xiàn)貨將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的集電極(C),紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E),此時萬用表的指針在零位。用同時觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用同時觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E),這時IGBT 被,萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT 是好的。BSM300GA170DN2S_E3256