產(chǎn)品詳情
簡單介紹:
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詳情介紹:
1、低功率IGBTIGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為新型電力半導(dǎo)體場控自關(guān)斷器件,集功率MOSFET的高速性能與雙極件的低電阻于一體,具有輸進阻抗高,電壓控制功耗低,控制電路簡單,耐高壓,承受電流大等特性,在各種電力變換中極廣泛的應(yīng)用。與此同時,各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢技術(shù),主要采用1um以下制作工藝,研制取得一些新進展。 [3] 特點:擊穿電壓可達1200V,集電極大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上,工作可達20kHz。內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2S,價格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2S,價格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2S,價格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2S,價格 大量現(xiàn)貨BSM300GA170DN2SBSM300GA170DN2SBSM300GA170DN2S
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。
IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態(tài)下的IGBT ,正向電壓由J2 結(jié)承擔,反向電壓由J1結(jié)承擔。如果無N+緩沖區(qū),則正反向電壓可以做到同樣水平,加入N+緩沖區(qū)后,反向關(guān)斷電壓只能達到幾十伏水平,因此了IGBT 的某些應(yīng)用范圍。
IGBT 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同,當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時,IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT 導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi), Id 與Ugs呈線性關(guān)系。高柵源電壓受大漏極電流,其佳值一般取為15V左右。IGBT動態(tài)特性
動態(tài)特性又稱開關(guān)特性,IGBT的開關(guān)特性分為兩大部分:一是開關(guān)速度,主要指標是開關(guān)中各部分時間;另一個是開關(guān)中的損耗。
IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時,由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管,所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結(jié)構(gòu),但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。此時,通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示::
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRohIGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時,集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似,也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同,當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時,IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi),IC與VGE呈線性關(guān)系。若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOS 截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓,只有在u的漏電流流過,基本上不消耗功率。3、NPT-IGBT內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2S,價格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2S,價格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2S,價格 大量現(xiàn)貨BSM300GA170DN2SBSM300GA170DN2S
式中Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓,其值為0.7 ~1V ;Udr ——擴展電阻Rdr 上的壓降;Roh ——溝道電阻。
通態(tài)電流Ids 可用下式表示:
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos ——流過MOSFET 的電流。6、IGBT/FRDNPT(非穿通型)--IGBT采用薄硅片技術(shù),以離子注進發(fā)射區(qū)代替高復(fù)雜、高本錢的厚層高阻外延,可生產(chǎn)本錢25%左右,耐壓越高本錢差越大,在性能上更具有特色,高速、低損耗、正溫度系數(shù),無鎖定效應(yīng),在設(shè)計600—1200V的IGBT時,NPT—IGBT可靠性高。西門子公司可提供600V、1200V、1700V系列產(chǎn)品和6500V高壓IGBT,并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT,依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列,富士電機、摩托羅拉等在研制之中,NPT型正成為IGBT發(fā)展方向。內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2S,價格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2S,價格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2S,價格 大量現(xiàn)貨BSM300GA170DN2SBSM300GA170DN2S
由于N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),所以IGBT 的通態(tài)壓降小,耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 ~ 3V 。IGBT 處于斷態(tài)時,只有很小的泄漏電流存在。
IGBT 在開通中,大部分時間是作為MOSFET 來運行的,只是在漏源電壓Uds 下降后期, PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,又了一段時間。td(on) 為開通時間,tri 為電流上升時間。實際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和,漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。IGBT與MOSFET的對比:檢測IR公司在IGBT基礎(chǔ)上推出兩款結(jié)合FRD(快速恢復(fù)二極管)的新型器件,IGBT/FRD有效結(jié)合,將轉(zhuǎn)換狀態(tài)的損耗20%,采用TO—247外型封裝,額定規(guī)格為1200V、25、50、75、100A,用于電機驅(qū)動和功率轉(zhuǎn)換,以IGBT及FRD為基礎(chǔ)的新技術(shù)便于器件并聯(lián),在多芯片模塊中實現(xiàn)更均勻的溫度,進步整體可靠性。內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2S,價格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2S,價格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2S,價格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2S,價格 大量現(xiàn)貨BSM300GA170DN2SBSM300GA170DN2S