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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ800R12KF4,圖片大量現(xiàn)貨

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  • 產(chǎn)品廠商:JOONGWON
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簡單介紹:
內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ800R12KF4,圖片大量現(xiàn)貨
詳情介紹:
U(溝槽結(jié)構(gòu))--IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞內(nèi)部形成溝槽式柵極。采用溝道結(jié)構(gòu)后,可進(jìn)一步縮小元胞尺寸,溝道電阻,進(jìn)步電流密度,制造相同額定電流而芯片尺寸少的產(chǎn)品?,F(xiàn)有多家公司生產(chǎn)各種U—IGBT產(chǎn)品,適用低電壓驅(qū)動、表面貼裝的要求。輸出特性與轉(zhuǎn)移特性:內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ800R12KF4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ800R12KF4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ800R12KF4,圖片大量現(xiàn)貨FZ800R12KF4FZ800R12KF4FZ800R12KF4IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖模塊簡介5、超快速IGBT內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ800R12KF4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ800R12KF4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ800R12KF4,圖片大量現(xiàn)貨IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融合了這兩種器件的優(yōu)點,既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點,又具有雙極型器件飽和壓而容量大的優(yōu)點,其特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz范圍內(nèi),在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中了越來越廣泛的應(yīng)用,在較高的大、率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。FZ800R12KF4
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