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內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KE4,圖片大量現(xiàn)貨
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IGBT與MOSFET的對(duì)比:內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KE4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KE4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KE4,圖片大量現(xiàn)貨FF400R12KE4FF400R12KE4FF400R12KE4IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個(gè)雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡(jiǎn)化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。整流器IR公司的研發(fā)重點(diǎn)在于IGBT的拖尾效應(yīng),使其能快速關(guān)斷,研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效應(yīng),關(guān)斷時(shí)間不超過(guò)2000ns,采用特殊高能照射分層技術(shù),關(guān)斷時(shí)間可在100ns以下,拖尾更短,重點(diǎn)產(chǎn)品專為電機(jī)控制而設(shè)計(jì),現(xiàn)有6種型號(hào),另可用在大功率電源變換器中。內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KE4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KE4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KE4,圖片大量現(xiàn)貨3、NPT-IGBTFF400R12KE4