產(chǎn)品詳情
簡單介紹:
內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ800R12KF4_S1,圖片大量現(xiàn)貨
詳情介紹:
NPT(非穿通型)--IGBT采用薄硅片技術(shù),以離子注進發(fā)射區(qū)代替高復雜、高本錢的厚層高阻外延,可生產(chǎn)本錢25%左右,耐壓越高本錢差越大,在性能上更具有特色,高速、低損耗、正溫度系數(shù),無鎖定效應,在設(shè)計600—1200V的IGBT時,NPT—IGBT可靠性高。西門子公司可提供600V、1200V、1700V系列產(chǎn)品和6500V高壓IGBT,并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT,依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列,富士電機、摩托羅拉等在研制之中,NPT型正成為IGBT發(fā)展方向。7、IGBT功率模塊內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ800R12KF4_S1,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ800R12KF4_S1,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ800R12KF4_S1,圖片大量現(xiàn)貨FZ800R12KF4_S1FZ800R12KF4_S1FZ800R12KF4_S1IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時,一定要將萬用 表撥在R×10KΩ擋,因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測好壞時不能使IGBT 導通,而無法判斷IGBT 的好壞。此同樣也可以用于檢測功率場效應晶體管(P-MOSFET)的好壞。檢測IGBT與MOSFET的對比:內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ800R12KF4_S1,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ800R12KF4_S1,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ800R12KF4_S1,圖片大量現(xiàn)貨IR公司在IGBT基礎(chǔ)上推出兩款結(jié)合FRD(快速恢復二極管)的新型器件,IGBT/FRD有效結(jié)合,將轉(zhuǎn)換狀態(tài)的損耗20%,采用TO—247外型封裝,額定規(guī)格為1200V、25、50、75、100A,用于電機驅(qū)動和功率轉(zhuǎn)換,以IGBT及FRD為基礎(chǔ)的新技術(shù)便于器件并聯(lián),在多芯片模塊中實現(xiàn)更均勻的溫度,進步整體可靠性。首先將萬用表撥在R×1KΩ擋,用萬用表測量時,若某一極與其它兩極阻值為無窮大,調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大,則判斷此極為柵極(G )其余兩極再用萬用表測量,若測得阻值為無窮大,調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。FZ800R12KF4_S1