產(chǎn)品詳情
簡單介紹:
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詳情介紹:
任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時,一定要將萬用 表撥在R×10KΩ擋,因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測好壞時不能使IGBT 導通,而無法判斷IGBT 的好壞。此同樣也可以用于檢測功率場效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。IGBT應(yīng)用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域,為家電行業(yè)的發(fā)展需求,摩托羅拉、ST半導體、三菱等公司推出低功率IGBT產(chǎn)品,實用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機、電磁灶、電子整流器、照相機等產(chǎn)品的應(yīng)用。內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨FZ1600R17KE3FZ1600R17KE3
左邊所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極(即發(fā)射極E)。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極(即門極G)。溝道在柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector),它是IGBT特有的功能區(qū),與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,起發(fā)射極的作用,向漏極注入空穴,進行導電調(diào)制,以器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極(即集電極C)將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的集電極(C),紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E),此時萬用表的指針在零位。用同時觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時IGBT 被觸發(fā)導通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用同時觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E),這時IGBT 被,萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT 是好的。7、IGBT功率模塊主要優(yōu)點:熱性好、工作區(qū)大。內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨FZ1600R17KE3FZ1600R17KE3。
左邊所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極(即發(fā)射極E)。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極(即門極G)。溝道在柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector),它是IGBT特有的功能區(qū),與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,起發(fā)射極的作用,向漏極注入空穴,進行導電調(diào)制,以器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極(即集電極C)將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的集電極(C),紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E),此時萬用表的指針在零位。用同時觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時IGBT 被觸發(fā)導通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用同時觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E),這時IGBT 被,萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT 是好的。7、IGBT功率模塊主要優(yōu)點:熱性好、工作區(qū)大。內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨FZ1600R17KE3FZ1600R17KE3。
IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流,使IGBT導通。反之,加反向門極電壓溝道,切斷基極電流,使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N-溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N-層的空穴(少子),對N-層進行電導調(diào)制,減小N-層的電阻,使IGBT在高電壓時,也具有低的通態(tài)電壓檢測注意事項鑒于目前廠家對IGBT的非常,三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接鍵合)技術(shù),在IC生產(chǎn)線上制作高速IGBT及模塊系列產(chǎn)品,特點為高速,低飽和壓降,低拖尾電流,正溫度系數(shù)易于并聯(lián),在600V和1200V電壓范圍性能優(yōu)良,分為UF、RUF兩大。2、U-IGBT內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ1600R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨FZ1600R17KE3FZ1600R17KE3FZ1600R17KE3FZ1600R17KE3