產(chǎn)品詳情
簡單介紹：
內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ3600R12HP4,圖片大量現(xiàn)貨
詳情介紹：
內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ3600R12HP4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ3600R12HP4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ3600R12HP4,圖片大量現(xiàn)貨FZ3600R12HP4FZ3600R12HP4FZ3600R12HP4IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個(gè)雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖4、SDB--IGBTMOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。判斷好壞內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ3600R12HP4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ3600R12HP4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ3600R12HP4,圖片大量現(xiàn)貨7、IGBT功率模塊FZ3600R12HP4
