產(chǎn)品詳情
簡單介紹：
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詳情介紹：
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。IGBT與MOSFET的對比：檢測注意事項4、SDB--IGBT若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u的漏電流流過，基本上不消耗功率。內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KT4,價格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KT4,價格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KT4,價格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KT4,價格 大量現(xiàn)貨FF400R12KT4FF400R12KT4FF400R12KT4
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉移特性。
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IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區(qū)，則正反向電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平，因此了IGBT 的某些應用范圍。
IGBT 的轉移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關系曲線。它與MOSFET 的轉移特性相同，當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時，IGBT 處于關斷狀態(tài)。在IGBT 導通后的大部分漏極電流范圍內(nèi)， Id 與Ugs呈線性關系。高柵源電壓受大漏極電流，其佳值一般取為15V左右。IGBT動態(tài)特性
動態(tài)特性又稱開關特性，IGBT的開關特性分為兩大部分：一是開關速度，主要指標是開關中各部分時間；另一個是開關中的損耗。
IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT 處于導通態(tài)時，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。此時，通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示：：
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh模塊簡介缺點：擊穿電壓低，工作電流小。5、超快速IGBT內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KT4,價格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KT4,價格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KT4,價格 大量現(xiàn)貨FF400R12KT4FF400R12KT4
式中Uj1 —— JI 結的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——擴展電阻Rdr 上的壓降；Roh ——溝道電阻。
通態(tài)電流Ids 可用下式表示：
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos ——流過MOSFET 的電流。IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關速度快的優(yōu)點，又具有雙極型器件飽和壓而容量大的優(yōu)點，其特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術中了越來越廣泛的應用，在較高的大、率應用中占據(jù)了主導地位。U（溝槽結構）--IGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞內(nèi)部形成溝槽式柵極。采用溝道結構后，可進一步縮小元胞尺寸，溝道電阻，進步電流密度，制造相同額定電流而芯片尺寸少的產(chǎn)品?，F(xiàn)有多家公司生產(chǎn)各種U—IGBT產(chǎn)品，適用低電壓驅(qū)動、表面貼裝的要求。輸出特性與轉移特性：內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KT4,價格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KT4,價格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KT4,價格 大量現(xiàn)貨FF400R12KT4FF400R12KT4
由于N+ 區(qū)存在電導調(diào)制效應，所以IGBT 的通態(tài)壓降小，耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 ～ 3V 。IGBT 處于斷態(tài)時，只有很小的泄漏電流存在。
IGBT 在開通中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又了一段時間。td(on) 為開通時間，tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和，漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。整流器IR公司的研發(fā)重點在于IGBT的拖尾效應，使其能快速關斷，研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效應，關斷時間不超過2000ns，采用特殊高能照射分層技術，關斷時間可在100ns以下，拖尾更短，重點產(chǎn)品專為電機控制而設計，現(xiàn)有6種型號，另可用在大功率電源變換器中。3、NPT-IGBT內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KT4,價格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KT4,價格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KT4,價格 大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KT4,價格 大量現(xiàn)貨FF400R12KT4FF400R12KT4
