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產(chǎn)品詳情

  • 產(chǎn)品名稱：內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2,圖片大量現(xiàn)貨

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  • 產(chǎn)品廠商：JOONGWON
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簡單介紹：
內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2,圖片大量現(xiàn)貨
詳情介紹：
1、低功率IGBT內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2,圖片大量現(xiàn)貨BSM300GA170DN2BSM300GA170DN2BSM300GA170DN2IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。3、NPT-IGBT檢測內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)BSM300GA170DN2,圖片大量現(xiàn)貨5、超快速IGBT缺點：擊穿電壓低，工作電流小。BSM300GA170DN2
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