缺點：擊穿電壓低，工作電流小。5、超快速IGBT內(nèi)蒙古自治區(qū)FF200R06YE3,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF200R06YE3,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF200R06YE3,圖片大量現(xiàn)貨FF200R06YE3FF200R06YE3FF200R06YE3IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖模塊簡介IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點，又具有雙極型器件飽和壓而容量大的優(yōu)點，其特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高的大、率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。U（溝槽結(jié)構(gòu)）--IGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞內(nèi)部形成溝槽式柵極。采用溝道結(jié)構(gòu)后，可進一步縮小元胞尺寸，溝道電阻，進步電流密度，制造相同額定電流而芯片尺寸少的產(chǎn)品?，F(xiàn)有多家公司生產(chǎn)各種U—IGBT產(chǎn)品，適用低電壓驅(qū)動、表面貼裝的要求。內(nèi)蒙古自治區(qū)FF200R06YE3,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF200R06YE3,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF200R06YE3,圖片大量現(xiàn)貨輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：FF200R06YE3