IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點，又具有雙極型器件飽和壓而容量大的優(yōu)點，其特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高的大、率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。NPT（非穿通型）--IGBT采用薄硅片技術(shù)，以離子注進(jìn)發(fā)射區(qū)代替高復(fù)雜、高本錢的厚層高阻外延，可生產(chǎn)本錢25%左右，耐壓越高本錢差越大，在性能上更具有特色，高速、低損耗、正溫度系數(shù)，無鎖定效應(yīng)，在設(shè)計600—1200V的IGBT時，NPT—IGBT可靠性高。西門子公司可提供600V、1200V、1700V系列產(chǎn)品和6500V高壓IGBT，并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT，依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列，富士電機、摩托羅拉等在研制之中，NPT型正成為IGBT發(fā)展方向。內(nèi)蒙古自治區(qū)FF800R12KF4,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF800R12KF4,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF800R12KF4,銷售大量現(xiàn)貨FF800R12KF4FF800R12KF4
左邊所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極（即發(fā)射極E）。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極（即集電極C）5、超快速IGBT缺點：擊穿電壓低，工作電流小。模塊簡介U（溝槽結(jié)構(gòu)）--IGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞內(nèi)部形成溝槽式柵極。采用溝道結(jié)構(gòu)后，可進(jìn)一步縮小元胞尺寸，溝道電阻，進(jìn)步電流密度，制造相同額定電流而芯片尺寸少的產(chǎn)品?，F(xiàn)有多家公司生產(chǎn)各種U—IGBT產(chǎn)品，適用低電壓驅(qū)動、表面貼裝的要求。內(nèi)蒙古自治區(qū)FF800R12KF4,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF800R12KF4,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF800R12KF4,銷售大量現(xiàn)貨FF800R12KF4FF800R12KF4。