青青草伊人在先线_成龙历险记之面具_东北大炕上的一家人_有多少爱可以重来人海中_重生玩遍官场贵妇

產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:內(nèi)蒙古自治區(qū)1SD536F2-FZ2400R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 產(chǎn)品廠商:JOONGWON
  • 產(chǎn)品價(jià)格:0
  • 折扣價(jià)格:0
  • 產(chǎn)品文檔:
你添加了1件商品 查看購物車
簡單介紹:
內(nèi)蒙古自治區(qū)1SD536F2-FZ2400R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨
詳情介紹:
IR公司在IGBT基礎(chǔ)上推出兩款結(jié)合FRD(快速恢復(fù)二極管)的新型器件,IGBT/FRD有效結(jié)合,將轉(zhuǎn)換狀態(tài)的損耗20%,采用TO—247外型封裝,額定規(guī)格為1200V、25、50、75、100A,用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率轉(zhuǎn)換,以IGBT及FRD為基礎(chǔ)的新技術(shù)便于器件并聯(lián),在多芯片模塊中實(shí)現(xiàn)更均勻的溫度,進(jìn)步整體可靠性。IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng),各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術(shù),從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展,其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于變頻調(diào)速外,600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,用于艦艇上的發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB,大大電路接線電感,進(jìn)步效率,現(xiàn)已成功**代IPEM,其中所有的無源元件以埋層掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱門。IGBT與MOSFET的對比:內(nèi)蒙古自治區(qū)1SD536F2-FZ2400R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)1SD536F2-FZ2400R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)1SD536F2-FZ2400R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨1SD536F2-FZ2400R17KE31SD536F2-FZ2400R17KE3內(nèi)蒙古自治區(qū)1SD536F2-FZ2400R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨
左邊所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極(即發(fā)射極E)。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極(即門極G)。溝道在柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector),它是IGBT特有的功能區(qū),與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,起發(fā)射極的作用,向漏極注入空穴,進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,以器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極(即集電極C)檢測NPT(非穿通型)--IGBT采用薄硅片技術(shù),以離子注進(jìn)發(fā)射區(qū)代替高復(fù)雜、高本錢的厚層高阻外延,可生產(chǎn)本錢25%左右,耐壓越高本錢差越大,在性能上更具有特色,高速、低損耗、正溫度系數(shù),無鎖定效應(yīng),在設(shè)計(jì)600—1200V的IGBT時(shí),NPT—IGBT可靠性高。西門子公司可提供600V、1200V、1700V系列產(chǎn)品和6500V高壓IGBT,并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT,依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列,富士電機(jī)、摩托羅拉等在研制之中,NPT型正成為IGBT發(fā)展方向。內(nèi)蒙古自治區(qū)1SD536F2-FZ2400R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)1SD536F2-FZ2400R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)1SD536F2-FZ2400R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨1SD536F2-FZ2400R17KE31SD536F2-FZ2400R17KE3。
IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓溝道,切斷基極電流,使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N-溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N-層的空穴(少子),對N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N-層的電阻,使IGBT在高電壓時(shí),也具有低的通態(tài)電壓首先將萬用表撥在R×1KΩ擋,用萬用表測量時(shí),若某一極與其它兩極阻值為無窮大,調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大,則判斷此極為柵極(G )其余兩極再用萬用表測量,若測得阻值為無窮大,調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。1、低功率IGBTMOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。判斷好壞4、SDB--IGBT內(nèi)蒙古自治區(qū)1SD536F2-FZ2400R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)1SD536F2-FZ2400R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)1SD536F2-FZ2400R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)1SD536F2-FZ2400R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)1SD536F2-FZ2400R17KE3,銷售大量現(xiàn)貨1SD536F2-FZ2400R17KE31SD536F2-FZ2400R17KE31SD536F2-FZ2400R17KE31SD536F2-FZ2400R17KE3
姓名:
電話:
Email:
您的需求:
 

京公網(wǎng)安備 11022802180403號(hào)