產(chǎn)品詳情
簡單介紹：
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詳情介紹：
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點，又具有雙極型器件飽和壓而容量大的優(yōu)點，其特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中了越來越廣泛的應用，在較高的大、率應用中占據(jù)了主導地位。整流器IR公司的研發(fā)重點在于IGBT的拖尾效應，使其能快速關(guān)斷，研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效應，關(guān)斷時間不超過2000ns，采用特殊高能照射分層技術(shù)，關(guān)斷時間可在100ns以下，拖尾更短，重點產(chǎn)品專為電機控制而設計，現(xiàn)有6種型號，另可用在大功率電源變換器中。內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ900R12KF5,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ900R12KF5,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ900R12KF5,銷售大量現(xiàn)貨FZ900R12KF5FZ900R12KF5
左邊所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極（即發(fā)射極E）。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調(diào)制，以器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極（即集電極C）IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ900R12KF5,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ900R12KF5,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ900R12KF5,銷售大量現(xiàn)貨FZ900R12KF5FZ900R12KF5。
左邊所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極（即發(fā)射極E）。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調(diào)制，以器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極（即集電極C）IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ900R12KF5,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ900R12KF5,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ900R12KF5,銷售大量現(xiàn)貨FZ900R12KF5FZ900R12KF5。
IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對N-層進行電導調(diào)制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓U（溝槽結(jié)構(gòu)）--IGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞內(nèi)部形成溝槽式柵極。采用溝道結(jié)構(gòu)后，可進一步縮小元胞尺寸，溝道電阻，進步電流密度，制造相同額定電流而芯片尺寸少的產(chǎn)品?，F(xiàn)有多家公司生產(chǎn)各種U—IGBT產(chǎn)品，適用低電壓驅(qū)動、表面貼裝的要求。3、NPT-IGBTIGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u的漏電流流過，基本上不消耗功率。內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ900R12KF5,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ900R12KF5,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ900R12KF5,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ900R12KF5,銷售大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ900R12KF5,銷售大量現(xiàn)貨FZ900R12KF5FZ900R12KF5FZ900R12KF5FZ900R12KF5
