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四川省6MBI300V-120-50,圖片大量現(xiàn)貨
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輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：四川省6MBI300V-120-50,圖片大量現(xiàn)貨四川省6MBI300V-120-50,圖片大量現(xiàn)貨四川省6MBI300V-120-50,圖片大量現(xiàn)貨6MBI300V-120-506MBI300V-120-506MBI300V-120-50IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖4、SDB--IGBT四川省6MBI300V-120-50,圖片大量現(xiàn)貨四川省6MBI300V-120-50,圖片大量現(xiàn)貨四川省6MBI300V-120-50,圖片大量現(xiàn)貨6、IGBT/FRD特點：擊穿電壓可達1200V，集電極大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作可達20kHz。6MBI300V-120-50
