整流器IR公司的研發(fā)重點在于IGBT的拖尾效應(yīng)，使其能快速關(guān)斷，研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效應(yīng)，關(guān)斷時間不超過2000ns，采用特殊高能照射分層技術(shù)，關(guān)斷時間可在100ns以下，拖尾更短，重點產(chǎn)品專為電機控制而設(shè)計，現(xiàn)有6種型號，另可用在大功率電源變換器中。鑒于目前廠家對IGBT的非常，三星、快捷等公司采用SDB（硅片直接鍵合）技術(shù)，在IC生產(chǎn)線上制作高速IGBT及模塊系列產(chǎn)品，特點為高速，低飽和壓降，低拖尾電流，正溫度系數(shù)易于并聯(lián)，在600V和1200V電壓范圍性能優(yōu)良，分為UF、RUF兩大。2、U-IGBT廣西壯族自治區(qū)6MBI100U4B-170,圖片大量現(xiàn)貨廣西壯族自治區(qū)6MBI100U4B-170,圖片大量現(xiàn)貨廣西壯族自治區(qū)6MBI100U4B-170,圖片大量現(xiàn)貨6MBI100U4B-1706MBI100U4B-1706MBI100U4B-170IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用　表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導(dǎo)通，而無法判斷IGBT 的好壞。此同樣也可以用于檢測功率場效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：判斷好壞4、SDB--IGBT廣西壯族自治區(qū)6MBI100U4B-170,圖片大量現(xiàn)貨廣西壯族自治區(qū)6MBI100U4B-170,圖片大量現(xiàn)貨廣西壯族自治區(qū)6MBI100U4B-170,圖片大量現(xiàn)貨6MBI100U4B-170