7、IGBT功率模塊鑒于目前廠家對(duì)IGBT的非常，三星、快捷等公司采用SDB（硅片直接鍵合）技術(shù)，在IC生產(chǎn)線上制作高速IGBT及模塊系列產(chǎn)品，特點(diǎn)為高速，低飽和壓降，低拖尾電流，正溫度系數(shù)易于并聯(lián)，在600V和1200V電壓范圍性能優(yōu)良，分為UF、RUF兩大。廣西壯族自治區(qū)6MBI225V-170-50,圖片大量現(xiàn)貨廣西壯族自治區(qū)6MBI225V-170-50,圖片大量現(xiàn)貨廣西壯族自治區(qū)6MBI225V-170-50,圖片大量現(xiàn)貨6MBI225V-170-506MBI225V-170-506MBI225V-170-50IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個(gè)雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡(jiǎn)化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖4、SDB--IGBT廣西壯族自治區(qū)6MBI225V-170-50,圖片大量現(xiàn)貨廣西壯族自治區(qū)6MBI225V-170-50,圖片大量現(xiàn)貨廣西壯族自治區(qū)6MBI225V-170-50,圖片大量現(xiàn)貨MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。判斷好壞6MBI225V-170-50